ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISZ023N06LM6ATMA1 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil ISZ072N06NM6ATMA1 dari Infineon dan ISZ023N06LM6ATMA1 dari Infineon. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ023N06LM6ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) —
Dissipasi Listrik (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Paket PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount)
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Rentang Suhu Kerja -55C to +175C ( Tj max 175C ) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Status RoHS Compliant Compliant
Level MSL 1 1
Series — OptiMOS 6 60 V
Part Number — ISZ023N06LM6
Orderable Part Number — ISZ023N06LM6ATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 24 A
Pulsed Drain Current (ID, Tc) — 149 A
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Suhu Kerja — -55C to +175C
Lead-Free — Yes
Configuration — Single

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon