K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G045WD-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WG-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4A4G045WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G045WD-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps/pin | — |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| العلبة | FBGA-78 (BCW) | TFBGA-78 (FBGA-78) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Self refresh supported (per Partstack listing) |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gb |
| التنظيم | — | 1G x4 |
| Die Generation | — | D-die |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Self Refresh | — | Yes |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] |
| Bank Architecture | — | DDR4 8 internal banks with bank groups |
| Lead Free Status | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| Packaging Option | — | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] |