K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G045WD-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G085WG-BCWE מאת Samsung Electronics ו K4A4G045WD-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G045WD-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps/pin | — |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| מארז | FBGA-78 (BCW) | TFBGA-78 (FBGA-78) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Self refresh supported (per Partstack listing) |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ארגון | — | 1G x4 |
| Die Generation | — | D-die |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Self Refresh | — | Yes |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] |
| Bank Architecture | — | DDR4 8 internal banks with bank groups |
| Lead Free Status | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| Packaging Option | — | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] |