K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G045WD-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G085WG-BCWE توسط Samsung Electronics و K4A4G045WD-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G045WD-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps/pin | — |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (BCW) | TFBGA-78 (FBGA-78) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Self refresh supported (per Partstack listing) |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gb |
| سازمان | — | 1G x4 |
| Die Generation | — | D-die |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Self Refresh | — | Yes |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] |
| Bank Architecture | — | DDR4 8 internal banks with bank groups |
| Lead Free Status | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| Packaging Option | — | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] |