K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G045WD-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G045WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G045WD-BCRC K4A4G045WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM x4, 1.2V | Samsung

K4A4G045WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM x4, 1.2V | Samsung

K4A4G045WD-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G085WG-BCWE K4A4G045WD-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (Volatile) DDR4 SDRAM
میموری سائز 4 Gb —
Memory Organization 512M x 8 —
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps/pin —
Speed Class DDR4-3200 —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Technology D-die DDR4 —
پیکیج FBGA-78 (BCW) TFBGA-78 (FBGA-78)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس Parallel (DDR4) —
Burst Length BL8 —
DLL Mode DLL Enabled (per datasheet timing) —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] Self refresh supported (per Partstack listing)
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tray —
Density — 4 Gb
تنظیم — 1G x4
Die Generation — D-die
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide)
Number of Terminals — 78
Self Refresh — Yes
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin]
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin]
Bank Architecture — DDR4 8 internal banks with bank groups
Lead Free Status — [DATA_NEEDED: lead-free status]
Packaging Option — [DATA_NEEDED: tape and reel quantity]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں