K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WE-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WG-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4A4G085WE-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps/pin | 2400 Mbps |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| العلبة | FBGA-78 (BCW) | FBGA-78 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per LCSC listing) |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| التنظيم | — | 512M x 8 |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |