K4A4G085WG-BCWE vs MT40A512M8RH-075E:B مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WG-BCWE بواسطة Samsung Electronics و MT40A512M8RH-075E:B بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WG-BCWE | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps/pin | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| العلبة | FBGA-78 (BCW) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| التنظيم | — | 512M x 8 |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| نوع الواجهة | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| جهد المرجع | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |