K4A4G085WG-BCWE vs MT40A512M8RH-075E:B موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A512M8RH-075E:B بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G085WG-BCWE | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps/pin | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| پیکیج | FBGA-78 (BCW) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| انٹرفیس | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| تنظیم | — | 512M x 8 |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| ریفرنس وولٹیج | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |