K4A4G165WD-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G165WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G165WD-BCRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-96 | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| نوع الواجهة | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| حالة RoHS | Lead free / RoHS Compliant | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| الواجهة | — | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| معدل البيانات | — | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |