K4A4G165WD-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ सक्रिय
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K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4A4G165WD-BCRC K4A8G165WB-BCRC
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 4 Gbit —
संगठन 256M x 16 —
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
पैकेज FBGA-96 96-ball FBGA (PBGA96)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
इंटरफ़ेस प्रकार DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes Yes
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
RoHS स्थिति Lead free / RoHS Compliant —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
मेमोरी आकार — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
इंटरफ़ेस — Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
डेटा दर — 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Clock Frequency — 1200 MHz (DDR4-2400)

डेटाशीट और संसाधन

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