K4A4G165WD-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A4G165WD-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WB-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A4G165WD-BCRC K4A8G165WB-BCRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 4 Gbit —
Organizasyon 256M x 16 —
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
Besleme Gerilimi 1.2 V —
Paket FBGA-96 96-ball FBGA (PBGA96)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
Arayüz Türü DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes Yes
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
RoHS Durumu Lead free / RoHS Compliant —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Bellek Boyutu — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
Arayüz — Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Veri Hızı — 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Clock Frequency — 1200 MHz (DDR4-2400)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin