K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G045WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G045WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G045WB-BCRC | K4A8G045WB-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $9.02 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 2G x 4 | 2G x 4 |
| Speed | 2400 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V | — |
| Process Technology | Samsung B-die | — |
| الواجهة | CMOS, differential clock (CK/CK#) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Maximum Supply Current | 211.7 mA | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to 85 C | 0C to +85C |
| العلبة | 78-ball FBGA (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| Terminals | 78 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Key DDR4 Features | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset | — |
| DLL Mode | Timing specified for DLL-enabled operation | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| معدل البيانات | — | 2133 Mbps/pin (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Prefetch Architecture | — | 8n |
| Burst Length | — | BL8, BC4 (burst chop) |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Reset | — | Asynchronous Reset |
| Clocking | — | Differential clocks (CK/CK#) |
| Max Supply Current | — | 211.7 mA |
| الميزات | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration |