K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCPB 比較

詳細並排比較 K4A8G045WB-BCRC 由 Samsung Electronics 與 K4A8G045WB-BCPB 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ 啟用中
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K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ 啟用中

規格比較

參數 K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCPB
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
庫存狀態 — In Stock
單價 (USD) — $9.02
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
組織 2G x 4 2G x 4
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
介面 CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
工作溫度 0 C to 85 C 0C to +85C
封裝 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
RoHS 狀態 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
資料速率 — 2133 Mbps/pin (PC4-2133)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Prefetch Architecture — 8n
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
Termination — On-Die Termination (ODT)
Reset — Asynchronous Reset
Clocking — Differential clocks (CK/CK#)
Max Supply Current — 211.7 mA
功能特色 — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration

資料表與資源

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