K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCPB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G045WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A8G045WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ सक्रिय
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K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCPB
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति — In Stock
यूनिट मूल्य (USD) — $9.02
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
संगठन 2G x 4 2G x 4
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
इंटरफ़ेस CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
ऑपरेटिंग तापमान 0 C to 85 C 0C to +85C
पैकेज 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
डेटा दर — 2133 Mbps/pin (PC4-2133)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Prefetch Architecture — 8n
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
Termination — On-Die Termination (ODT)
Reset — Asynchronous Reset
Clocking — Differential clocks (CK/CK#)
Max Supply Current — 211.7 mA
विशेषताएँ — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration

डेटाशीट और संसाधन

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