K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCPB So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G045WB-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A8G045WB-BCPB bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCPB K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps | Samsung

K4A8G045WB-BCPB ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCPB
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $9,02
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8 Gb 8 Gb
Tổ chức 2G x 4 2G x 4
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Giao diện CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
Nhiệt độ hoạt động 0 C to 85 C 0C to +85C
Hộp 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
Trạng thái RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tốc độ dữ liệu — 2133 Mbps/pin (PC4-2133)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Prefetch Architecture — 8n
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh
Termination — On-Die Termination (ODT)
Reset — Asynchronous Reset
Clocking — Differential clocks (CK/CK#)
Max Supply Current — 211.7 mA
Tính năng — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá