K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G045WB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G045WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G045WB | K4A8G045WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 2G x 4 | 2G x 4 |
| معدل البيانات | 2133 Mbps | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| Max Supply Current | 211.7 mA | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C | 0 C to 85 C |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Speed | — | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | Samsung B-die |
| الواجهة | — | CMOS, differential clock (CK/CK#) |
| Maximum Supply Current | — | 211.7 mA |
| Terminals | — | 78 |
| Key DDR4 Features | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset |
| DLL Mode | — | Timing specified for DLL-enabled operation |