K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCRC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G045WB توسط Samsung Electronics و K4A8G045WB-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4A8G045WB K4A8G045WB-BCRC
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
سازمان 2G x 4 2G x 4
نرخ داده 2133 Mbps —
ولتاژ تغذیه 1.2 V —
Max Supply Current 211.7 mA —
دمای کاری 0 C to +85 C 0 C to 85 C
بسته‌بندی 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Refresh Cycles 8192 8192
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 78 —
Clocking Differential clock (CK / CK#) —
On-Die Termination Yes (ODT pin) —
Asynchronous Reset Yes —
Posted CAS Yes —
Programmable CWL Yes —
Internal (Self) Calibration Yes —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
رابط — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت