K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCRC Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil K4A8G045WB dari Samsung Electronics dan K4A8G045WB-BCRC dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum K4A8G045WB K4A8G045WB-BCRC
Merek Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Tipe Memori DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organisasi 2G x 4 2G x 4
Laju Data 2133 Mbps —
Tegangan Pemuat 1.2 V —
Max Supply Current 211.7 mA —
Suhu Kerja 0 C to +85 C 0 C to 85 C
Paket 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Refresh Cycles 8192 8192
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 78 —
Clocking Differential clock (CK / CK#) —
On-Die Termination Yes (ODT pin) —
Asynchronous Reset Yes —
Posted CAS Yes —
Programmable CWL Yes —
Internal (Self) Calibration Yes —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
Antarmuka — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon