K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCRC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G045WB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G045WB-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4A8G045WB K4A8G045WB-BCRC
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
संगठन 2G x 4 2G x 4
डेटा दर 2133 Mbps —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
Max Supply Current 211.7 mA —
ऑपरेटिंग तापमान 0 C to +85 C 0 C to 85 C
पैकेज 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Refresh Cycles 8192 8192
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 78 —
Clocking Differential clock (CK / CK#) —
On-Die Termination Yes (ODT pin) —
Asynchronous Reset Yes —
Posted CAS Yes —
Programmable CWL Yes —
Internal (Self) Calibration Yes —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
इंटरफ़ेस — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

डेटाशीट और संसाधन

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