K4A8G045WB vs K4A8G045WB-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G045WB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G045WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G045WB K4A8G045WB-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 2G x 4 2G x 4
ڈیٹا ریٹ 2133 Mbps —
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
Max Supply Current 211.7 mA —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0 C to +85 C 0 C to 85 C
پیکیج 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Refresh Cycles 8192 8192
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 78 —
Clocking Differential clock (CK / CK#) —
On-Die Termination Yes (ODT pin) —
Asynchronous Reset Yes —
Posted CAS Yes —
Programmable CWL Yes —
Internal (Self) Calibration Yes —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
انٹرفیس — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں