K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BIWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BIWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BCPB | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $4.10 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 1G x 8 | 1G x 8 |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | — |
| العلبة | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0°C to +85°C |
| الواجهة | DDR4 SDRAM parallel interface | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| معدل البيانات | — | 3200 Mbps |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |