K4A8G085WB-BCWE vs H5AN4G8NBJR-UHI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BCWE بواسطة Samsung Electronics و H5AN4G8NBJR-UHI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BCWE | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $12.30 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gbit |
| التنظيم | 1G x 8 | 512M x 8 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Classification | B-die | — |
| الواجهة | DDR4 (SSTL12) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application Domain | Server, industrial control, networking, embedded systems | — |
| VREF AC-Noise Derating | +/-1% of VDD included in timing deratings | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Package Body Size | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh support |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |