K4A8G085WB-BCWE vs H5AN4G8NBJR-UHI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB-BCWE द्वारा Samsung Electronics और H5AN4G8NBJR-UHI द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WB-BCWE | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $12.30 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gbit |
| संगठन | 1G x 8 | 512M x 8 |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पैकेज | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Classification | B-die | — |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (SSTL12) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Application Domain | Server, industrial control, networking, embedded systems | — |
| VREF AC-Noise Derating | +/-1% of VDD included in timing deratings | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Package Body Size | [DATA_NEEDED: package dimensions in mm] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh support |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |