K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BITD مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BICH بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BITD بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BITD |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| جهد التغذية | 1.2V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 Mbps |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 85°C | -40°C to +95°C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | — | 78 |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| الواجهة | — | Parallel |
| حالة RoHS | — | Compliant |