K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BITD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BICH بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BITD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BITD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
سپلائی وولٹیج 1.2V 1.2 V
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps (DDR4-2400) 2666 Mbps
پیکیج 78-ball FBGA 78FBGA
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to 85°C -40°C to +95°C
Max Supply Current 170mA —
Burst Length BL8, BL16 —
CAS لیٹنسی Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Die Revision B-die —
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
پنز کی تعداد — 78
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
انٹرفیس — Parallel
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں