K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G045WB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G045WB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G045WB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM (B-die) |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| الواجهة | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2133 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (PBGA96) | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | 0 C to +85 C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 2G x 4 |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Max Supply Current | — | 211.7 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Clocking | — | Differential clock (CK / CK#) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| Posted CAS | — | Yes |
| Programmable CWL | — | Yes |
| Internal (Self) Calibration | — | Yes |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |