K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G045WB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G045WB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCRC K4A8G045WB
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM (B-die)
میموری سائز 8 Gb —
Memory Organization 512M x 16 —
انٹرفیس Parallel (DDR4 SDRAM bus) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) 2133 Mbps
Technology CMOS, B-die 8Gb die —
پیکیج 96-ball FBGA (PBGA96) 78-ball FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +95C 0 C to +85 C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC / CA Parity CRC function supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) —
Density — 8 Gb
تنظیم — 2G x 4
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Max Supply Current — 211.7 mA
Refresh Cycles — 8192
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes
RoHS اسٹیٹس — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں