K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G045WB তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G045WB নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G165WB-BCRC K4A8G045WB
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM (B-die)
মেমরি সাইজ 8 Gb —
Memory Organization 512M x 16 —
ইন্টারফেস Parallel (DDR4 SDRAM bus) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
ডেটা রেট 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) 2133 Mbps
Technology CMOS, B-die 8Gb die —
প্যাকেজ 96-ball FBGA (PBGA96) 78-ball FBGA
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +95C 0 C to +85 C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC / CA Parity CRC function supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) —
Density — 8 Gb
সংগঠন — 2G x 4
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V
Max Supply Current — 211.7 mA
Refresh Cycles — 8192
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes
RoHS স্ট্যাটাস — [DATA_NEEDED: RoHS status]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট