K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G045WB השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A8G045WB מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G045WB |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM (B-die) |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ממשק | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| קצב נתונים | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2133 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| מארז | 96-ball FBGA (PBGA96) | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +95C | 0 C to +85 C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 2G x 4 |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Max Supply Current | — | 211.7 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Clocking | — | Differential clock (CK / CK#) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| Posted CAS | — | Yes |
| Programmable CWL | — | Yes |
| Internal (Self) Calibration | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |