K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WC-BCTD بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x16 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps (DDR4-2666) | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | 0C to +95C |
| العلبة | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | C-die (1Y nm class) |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| الواجهة | — | DDR4 (16-bit data bus) |
| الميزات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |