K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WC-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WC-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 512M x16 | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps (DDR4-2666) | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | 0C to +95C |
| पैकेज | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | C-die (1Y nm class) |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | — | DDR4 (16-bit data bus) |
| विशेषताएँ | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |