K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCPB Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WC-BCTD tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WC-BCPB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organizasyon | 512M x16 | — |
| Veri Hızı | 2666 Mbps (DDR4-2666) | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C | 0C to +95C |
| Paket | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | C-die (1Y nm class) |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Bellek Boyutu | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V |
| Arayüz | — | DDR4 (16-bit data bus) |
| Özellikler | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |