K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCPB So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WC-BCTD bằng Samsung Electronics và K4A8G165WC-BCPB bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| Tổ chức | 512M x16 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps (DDR4-2666) | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | 1.14 V to 1.26 V |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +95C | 0C to +95C |
| Hộp | 96FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | C-die (1Y nm class) |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Kích thước bộ nhớ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V |
| Giao diện | — | DDR4 (16-bit data bus) |
| Tính năng | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |