K4A8G165WC-BCTD vs MT40A512M16LY-062E-ATE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WC-BCTD بواسطة Samsung Electronics و MT40A512M16LY-062E-ATE بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WC-BCTD | MT40A512M16LY-062E-ATE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| التنظيم | 512M x16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | -40C to +105C (automotive) |
| العلبة | 96FBGA | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | — |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Yes (ODT) |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | Yes (DM) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Grade | — | -062E (0.625 ns tCK) |
| Refresh Mode | — | Auto self-refresh |