K4A8G165WC-BCTD vs MT40A512M16LY-062E-ATE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WC-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT40A512M16LY-062E-ATE নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ সক্রিয়Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WC-BCTD | MT40A512M16LY-062E-ATE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| সংগঠন | 512M x16 | 512M x 16 |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C | -40C to +105C (automotive) |
| প্যাকেজ | 96FBGA | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | — |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | Yes (ODT) |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | Yes (DM) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Grade | — | -062E (0.625 ns tCK) |
| Refresh Mode | — | Auto self-refresh |