K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WG-BCWE بواسطة Samsung Electronics و MT40A512M16JY-083E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WG-BCWE | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $35.98 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| Max Data Rate | 3200 Mbps/pin | — |
| Clock Cycle Time | 19 ns | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-96 (BGA-96), surface mount | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C (commercial) | — |
| Refresh | Auto/self refresh per DDR4 standard | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor, Inc. | — |
| Product Status | Active | — |
| Typical Standby Current | 20 mA (per LCSC listing) | — |
| Die Generation | Samsung B-die, 8Gb DDR4 x16 | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| معدل البيانات | — | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| خالٍ من الهالوجين | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |