K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16JY-083E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WG-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT40A512M16JY-083E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G165WG-BCWE MT40A512M16JY-083E
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs DRAM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) $35.98 —
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM (Automotive)
মেমরি সাইজ 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
ইন্টারফেস Parallel —
Max Data Rate 3200 Mbps/pin —
Clock Cycle Time 19 ns —
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
প্যাকেজ FBGA-96 (BGA-96), surface mount 96-FBGA (8 x 14 mm)
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +85C (commercial) —
Refresh Auto/self refresh per DDR4 standard —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Manufacturer Samsung Semiconductor, Inc. —
Product Status Active —
Typical Standby Current 20 mA (per LCSC listing) —
Die Generation Samsung B-die, 8Gb DDR4 x16 —
Density — 8 Gbit
সংগঠন — 512M x 16
Clock Frequency — 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns)
ডেটা রেট — 2400 MT/s (speed grade -083E)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
I/O Interface — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Refresh Structure — 8192-cycle refresh
Refresh Window — 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C
ECCN — EAR99
হ্যালোজেন মুক্ত — Compliant
Country of Origin — China

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট