K4AAG165WA-BCTD vs K4AAG165WM-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG165WA-BCTD بواسطة Samsung Electronics و K4AAG165WM-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG165WA-BCTD | K4AAG165WM-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | 3200 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| الواجهة | Synchronous, DDR4 | DDR4 (SSTL-12) |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] |
| العلبة | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | Volatile (DRAM) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| Technology Family | DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) | — |
| Application Class | Computing, embedded, consumer main memory | — |
| Package Family | FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount | — |
| Temperature Grade | Commercial (0C to +85C) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| التنظيم | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] |