K4AAG165WA-BCTD vs K4AAG165WM-BCRC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WA-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WM-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WA-BCTD ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4AAG165WA-BCTD K4AAG165WM-BCRC
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
डेटा दर 2666 Mbps 3200 Mbps
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
इंटरफ़ेस Synchronous, DDR4 DDR4 (SSTL-12)
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
पैकेज 96-FBGA 96-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Memory Format Volatile (DRAM) —
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
Technology Family DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) —
Application Class Computing, embedded, consumer main memory —
Package Family FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount —
Temperature Grade Commercial (0C to +85C) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 16 Gb
संगठन — 1G x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध