K4AAG165WA-BCTD vs K4AAG165WM-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4AAG165WA-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4AAG165WM-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4AAG165WA-BCTD | K4AAG165WM-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| קצב נתונים | 2666 Mbps | 3200 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| ממשק | Synchronous, DDR4 | DDR4 (SSTL-12) |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] |
| מארז | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | Volatile (DRAM) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| Technology Family | DDR4 SDRAM (Samsung K4AAG165WA series) | — |
| Application Class | Computing, embedded, consumer main memory | — |
| Package Family | FBGA -> fine-pitch BGA -> surface mount | — |
| Temperature Grade | Commercial (0C to +85C) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| ארגון | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] |