K4AAG165WM-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG165WM-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCRC بواسطة Samsung Electro-Mechanics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG165WM-BCRC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $19.69 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| التنظيم | 1G x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| الواجهة | DDR4 (SSTL-12) | Parallel, 16-bit DDR |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | 0 C to +95 C |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| الميزات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |