K4AAG165WM-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4AAG165WM-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCRC توسط Samsung Electro-Mechanics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4AAG165WM-BCRC K4A8G165WC-BCRC
برند Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $19.69
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb —
سازمان 1G x 16 512M x 16
نرخ داده 3200 Mbps 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
رابط DDR4 (SSTL-12) Parallel, 16-bit DDR
بسته‌بندی 96-ball FBGA 96-FBGA (TFBGA)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] 0 C to +95 C
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
اندازه حافظه — 8 Gbit
Clock Frequency — 1333 MHz
ولتاژ تغذیه — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
ویژگی‌ها — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت