K4AAG165WM-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4AAG165WM-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4AAG165WM-BCRC K4A8G165WC-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $19,69
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb —
Tổ chức 1G x 16 512M x 16
Tốc độ dữ liệu 3200 Mbps 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Giao diện DDR4 (SSTL-12) Parallel, 16-bit DDR
Hộp 96-ball FBGA 96-FBGA (TFBGA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] 0 C to +95 C
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1333 MHz
Điện áp cung cấp — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Tính năng — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá