K4AAG165WM-BCRC vs K4A8G165WC-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4AAG165WM-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WC-BCRC tarafından Samsung Electro-MechanicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4AAG165WM-BCRC K4A8G165WC-BCRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $19,69
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb —
Organizasyon 1G x 16 512M x 16
Veri Hızı 3200 Mbps 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Arayüz DDR4 (SSTL-12) Parallel, 16-bit DDR
Paket 96-ball FBGA 96-FBGA (TFBGA)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] 0 C to +95 C
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Bellek Boyutu — 8 Gbit
Clock Frequency — 1333 MHz
Besleme Gerilimi — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Özellikler — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin