K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCTD مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG165WM-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4AAG165WM-BCTD بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| التنظيم | 1G x 16 | 1G x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| الواجهة | DDR4 (SSTL-12) | SSTL-12 |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | 0C to +85C |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| حالة RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Data Mask | — | Yes |