K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCTD 比較

詳細並排比較 K4AAG165WM-BCRC 由 Samsung Electronics 與 K4AAG165WM-BCTD 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ 啟用中
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K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD ✓ 啟用中

規格比較

參數 K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCTD
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
組織 1G x 16 1G x 16
資料速率 3200 Mbps —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
介面 DDR4 (SSTL-12) SSTL-12
封裝 96-ball FBGA 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount (BGA solder reflow)
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes Yes
Data Mask Function Yes —
工作溫度 [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] 0C to +85C
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] —
RoHS 狀態 Compliant RoHS (per LCSC listing)
Speed — 2666 Mbps
供應電壓 — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Data Mask — Yes

資料表與資源

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