K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCTD Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4AAG165WM-BCRC disebabkan oleh Samsung Electronics dan K4AAG165WM-BCTD disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCTD
Merek Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organisasi 1G x 16 1G x 16
Kadar Data 3200 Mbps —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Antaramuka DDR4 (SSTL-12) SSTL-12
Kemasan 96-ball FBGA 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount (BGA solder reflow)
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes Yes
Data Mask Function Yes —
Suhu Operasi [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] 0C to +85C
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] —
Status RoHS Compliant RoHS (per LCSC listing)
Speed — 2666 Mbps
Tegangan Pemberi Arus — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Data Mask — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga