K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4AAG165WM-BCRC توسط Samsung Electronics و K4AAG165WM-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| سازمان | 1G x 16 | 1G x 16 |
| نرخ داده | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| رابط | DDR4 (SSTL-12) | SSTL-12 |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | 0C to +85C |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Data Mask | — | Yes |