K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCTD Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4AAG165WM-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4AAG165WM-BCTD tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organizasyon | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Veri Hızı | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Arayüz | DDR4 (SSTL-12) | SSTL-12 |
| Paket | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | 0C to +85C |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Data Mask | — | Yes |