K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4AAG165WM-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4AAG165WM-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| ארגון | 1G x 16 | 1G x 16 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| ממשק | DDR4 (SSTL-12) | SSTL-12 |
| מארז | 96-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | 0C to +85C |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| מתח אספקה | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Data Mask | — | Yes |